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IXYS可控硅單向晶閘管的工作特性
日期：2025-06-16 00:39
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摘要：
IXYS可控硅單向晶閘管的特性，可以用以下幾個主要參數來表征。
?、兕~定平均電流IT:在規定的條件下，晶閘管允許通過的50Hz正弦波電流的平均值。
?、谡蜣D折電壓VBo:是指在額定結溫及控制極開路的條件下，在陽極和陰極間加以正弦波半波正向電壓，使其由關斷狀態發生正向轉折變為導通狀態時所對應的電壓峰值。
③正向阻斷峰值電壓VDRM:定義為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。
④反向擊穿電壓VBR:是指在額定結溫下，陽極和陰極間加以正弦波反向電壓，當其反向漏電流急劇上升時所對應的電壓峰值。
?、莘聪蚍逯惦妷篤RRM:定義為反向擊穿電壓減去1OOV后的電壓值。
⑥正向平均壓降VF:是指在規定的條件下，當通過的電流為其額定電流時，晶閘管陽極、陰極間電壓降的平均值。
?、呔S持電流IH:是指維持晶閘管導通的*小電流。
⑧控制極觸發電壓VCT和觸發電流IGT:在規定的條件下，加在控制極上的可以使晶閘管導通的所必需的*小電壓和電流。
?、釋〞r間tg((ton):從在晶閘管的控制極加上觸發電壓VGT開始到晶閘管導通，其導通電流達到90%時的這一段時間稱為導通時間。
?、怅P斷時間tg(toff):從切斷晶閘管的工向電流開始到控制極恢復控制能力的這一段時間稱為關斷時間。
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