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西門康IGBT的研發進展(二)

日期:2025-06-16 18:08
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摘要:
 

1、NPT-IGBT
NPT(非傳統型)--西門康IGBT采用薄硅片技術,以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延,可降低生產本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數,無鎖定效應,在設計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可靠性*高。市面上有些公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,NPT型正成為IGBT發展方向。
2、SDB--IGBT
鑒于目前廠家對西門康IGBT的開發非常重視,采用SDB(硅片直接鍵合)技術,在IC生產線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數易于并聯,在600V和1200V電壓范圍性能優良,分為UF、RUF兩大系統。
3、超快速IGBT
研發重點在于減少西門康IGBT的拖尾效應,使其能快速關斷,研制的超快速IGBT可*大限度地減少拖尾效應,關斷時間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術,關斷時間可在100ns以下,拖尾更短,重點產品專為電機控制而設計,現有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。




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