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電解電容定義及原理 電解電容是電容的一種，金屬箔為正極（鋁或鉭），與正極緊貼金屬的氧化膜（氧化鋁或五氧化二鉭）是電介質(zhì)，陰極由導(dǎo)電材料、電解質(zhì)（電解質(zhì)可以是液體或固體）和其他材料共同組成，因電解質(zhì)是陰極的主要部分，電解電容...發(fā)布時間：2013-10-12 點(diǎn)擊次數(shù)：907 次
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快速熔斷器簡介 快速熔斷器有單波繞組和復(fù)波繞組。單波繞組的特點(diǎn)是將同極性下的所有線圈按一定規(guī)律全部串聯(lián)起來，形成一條并聯(lián)支路。所以整個電樞繞組只有兩條并聯(lián)支路。 波繞組線圈的換向器節(jié)距式中P為磁極對數(shù);k為換向片數(shù)；...發(fā)布時間：2013-10-11 點(diǎn)擊次數(shù)：884 次
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IGBT模塊散熱器都分為哪幾種？ IGBT水冷散熱器IGBT熱管散熱器產(chǎn)品質(zhì)具有以下優(yōu)點(diǎn):1.產(chǎn)業(yè)美觀大方,**可靠。采用上等鋁合金材料,材質(zhì)良好的導(dǎo)熱性、低成本、強(qiáng)材料硬度、不易氧化。2.內(nèi)部結(jié)構(gòu),進(jìn)一步優(yōu)化散熱器水箱,的前提下增加了強(qiáng)度,減...發(fā)布時間：2013-09-29 點(diǎn)擊次數(shù)：1027 次
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IGBT模塊的常識及使用注意事項(xiàng) IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor）的簡稱，它是80年代初誕生，90年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子元件IGBT管是由MOSFET場效應(yīng)晶體管和B...發(fā)布時間：2013-09-28 點(diǎn)擊次數(shù)：1124 次
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IGBT模塊散熱器簡介 防爆電氣用熱管散熱器：專門為爆炸性氣體環(huán)境中的電氣設(shè)備用電力電子器件、功率模塊散熱而開發(fā)的新一代散熱產(chǎn)品。具有熱阻小、熱響應(yīng)速度快、熱傳導(dǎo)迅速、冷熱源可分離、等溫性能好、小溫差下傳輸較大的熱量等特性，可將...發(fā)布時間：2013-09-26 點(diǎn)擊次數(shù)：2229 次
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IGBT模塊在列車供電系統(tǒng)中的應(yīng)用及保護(hù) 2O世紀(jì)8O年代初發(fā)展起來的新型復(fù)合元件——IGBT（絕緣柵雙極晶體管InsulatedGateBipolarTransistor）是一種新型的電力半導(dǎo)體元件。作為一種電壓控制型功率元件，IGBT所需驅(qū)動...發(fā)布時間：2013-09-22 點(diǎn)擊次數(shù)：1439 次
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ABB可控硅-ABB電流傳感器 ABB電流傳感器：主要用于測量直流、交流及脈沖電流的傳感器，原、副邊之間高度絕緣，ABB電流及電壓傳感器具有測量精度高、線性度好、響應(yīng)速度快、隔離效果好等諸多特性。這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于全球動力監(jiān)控、冶金自動化、...發(fā)布時間：2013-09-21 點(diǎn)擊次數(shù)：962 次
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IGBT模塊測量方法 用萬用表R×10K檔，IGBT模塊與單管量測方法相同，思路是：叫它關(guān)，關(guān)沒關(guān)？叫它開，開沒開？1、黑筆接發(fā)射極e，紅筆搭一下柵極g(表示為：黑-e,紅-g，下同)，這一步是“強(qiáng)制關(guān)斷”操作。2、紅-e,黑...發(fā)布時間：2013-09-20 點(diǎn)擊次數(shù)：9285 次
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IGBT模塊技術(shù)分析 IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電流、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高...發(fā)布時間：2013-09-13 點(diǎn)擊次數(shù)：2435 次
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IGBT模塊與單管測量方法 IGBT模塊與單管量測方法相同，思路是：叫它關(guān)，關(guān)沒關(guān)？叫它開，開沒開？1、黑筆接發(fā)射極e，紅筆搭一下柵極g(表示為：黑-e,紅-g，下同)，這一步是“強(qiáng)制關(guān)斷”操作。2、紅-e,黑-c,這一步是檢查是...發(fā)布時間：2013-09-12 點(diǎn)擊次數(shù)：3239 次
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IGBT模塊驅(qū)動及保護(hù)技術(shù) IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電流、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，故在較高...發(fā)布時間：2013-09-11 點(diǎn)擊次數(shù)：1416 次
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IGBT模塊散熱器的設(shè)計(jì) IGBT散熱器是一種廣大使用的目前有能力關(guān)閉裝置、高開關(guān)頻率,廣大用于各種固態(tài)功率。但如果控制不當(dāng),很容易損壞。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖1所示的PWM變換器工作在單相高頻整流模式、技術(shù)應(yīng)用PSPICE軟件仿真...發(fā)布時間：2013-09-06 點(diǎn)擊次數(shù)：1511 次
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IGBT模塊散熱器介紹 (1)防爆電熱管散熱器:致力于電氣設(shè)備用于爆炸性氣體環(huán)境發(fā)展的電力電子器件、電子功率模塊、散熱和新一代的散熱產(chǎn)品。有熱阻小、快速響應(yīng)、快速導(dǎo)熱熱量,熱量和冷源可以被分離,等溫性能好,和更大的熱在小溫差等作用,是...發(fā)布時間：2013-09-05 點(diǎn)擊次數(shù)：1021 次
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IGBT模塊 散熱器都分為哪幾種？ IGBT水冷散熱器IGBT熱管散熱器產(chǎn)業(yè)品質(zhì)具有以下優(yōu)點(diǎn):1.產(chǎn)業(yè)美觀大方,**可靠。采用上等鋁合金材料,材質(zhì)良好的導(dǎo)熱性、低成本、強(qiáng)材料硬度、不易氧化。2.內(nèi)部結(jié)構(gòu),進(jìn)一步優(yōu)化散熱器水箱,的前提下增加了強(qiáng)度,...發(fā)布時間：2013-09-04 點(diǎn)擊次數(shù)：900 次
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西門康IGBT型號和技術(shù)指標(biāo) 西門康SEMIKRON,IGBT模塊型號(1U1200V)工藝標(biāo)準(zhǔn)型號(1U/1700V)工藝標(biāo)準(zhǔn)SKM200GA123D200A/1200V/1USKM400GA173D400A/1700V/1USKM30...發(fā)布時間：2013-08-30 點(diǎn)擊次數(shù)：1004 次
